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pg电子官网热点应用走热2012年最值得关注的五类半导体器件 - 全文

发布日期:2024-04-24 12:31 浏览次数:

  pg电子官网热点应用走热2012年最值得关注的五类半导体器件 - 全文始料不及,2012年春节以后,这样的趋势继续延续,而且低价智能手机继续受到热捧,近日,德勤发布的电信行业2012年发展趋势预测指出,100美元智能手机的普及率将持续增长,以满足不断上升的

  100美元智能手机的崛起是源于消费者希望取代更加基础的手机,又不需要高端设备的功耗或功能。新兴市场的互联网普及度较低,但是对通信和信息服务的需求却不断增加,因此蕴含最大商机,这样的需求催生了平价Cortex-A5双核处理器的需求,A5俗称缩小版A9,其ARM中国区总裁吴雄昂也表示,A5双核处理器将成为入门级智能手机的标配,这种处理器主频在400到800MHz左右,支持Android应用,其他还包括支持多点触控、500万像素的摄影镜头、Hotspots等等,博通已经推出了这类处理器,其他厂商也会陆续推出。

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  而中低价平板电脑的走热则会拉动ARM Cortex-A8处理器的需求。目前很多厂商陆续推出了5美元左右的ARM Cortex-A8处理器,主打领域为工业、教育、物流等垂直应用市场,在2012年慕尼黑上海电子展上,ARM中国移动计算市场经理陈鹏将出席国际便携技术创新论坛R发表演讲,分享ARM移动策略,欢迎工程师朋友报名参会了解详情。

  在节能减排的大趋势下,功率半导体厂商都在想法设法让器件节约每个库伦的电量,在MOSFET方面,飞兆半导体、英飞凌、威世半导体等等都在开发导通电阻更低的产品,这些厂商不断刷新MOSFET新的导通电阻记录pg电子网址,另一方面,一些厂商也在积极基于新材料例如SiC 的功率器件的发展,例如罗姆半导体(ROHM)在其未来发展4大战略中,其中之一是“功率元器件”战略。罗姆于2010年4月开始SiC-SBD的量产,2010年12月世界首家开始SiC-MOSFET的量产。罗姆半导体认为,SiC器件应用会在2012年走热,原因为,一、新能源解决方案的热门技术是SiC器件。预计2012年会出现新的参与厂家。一直以来,罗姆积极推进沟槽型SiC-MOSFET等产品的研究开发,通过将其量产化,早于其他公司率先推出领先一步的SiC元器件。二、在电动汽车、混合动力汽车领域,也是SiC可以发挥的领域,对于新能源汽车来说,在控制方面电气不可或缺。

  随着平板电脑智能手机的走热,被动元件的需求被进一步提升,因为电子产品优异的性能需要更多更精密的被动元件来完成,威世半导体就认为平板电脑,汽车,医疗电子,新能源市场中的太阳能、风能,混合动力和纯电动汽车,智能手机,工业电子市场会给被动元件带来更多商机,所以在2012年慕尼黑上海电子展商,威世半导体将展出,具有高达3W的功率等级和0.0005Ω的极低阻值的WSLP2512电阻、具有0mm至10mm短电气行程的线性位置霍尔效应传感器、高精密仪表分流电阻,最小容量提高至470pF的表面贴装X7RMLCC以及具有+175℃的高温性能的TH4钽电容器等等,Vishay亚洲区事业发展部总监杨益彰也表示智能手机会用到越来越多的MLCC。

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  村田也在积极推广汽车级别安规电容高压高容值电容等产品。在2012年慕尼黑上海电子展上,村田带来了一系列新产品。包括用于新能源汽车的高压电容和安规电容产品,如村田的汽车电力用贴片陶瓷电容器EVC系列,适用于SiC(碳化硅)半导体的高频高温动力电子设备,可以保证150度的操作温度。此外村田的KJ系列安规电容是世界上尺寸最小的车载级安规电容,适用于EV/HEV的充电器和。针对引擎控制模块的EMI解决方案,因为有共模扼流线、电池技术—关注新型电容器及监测技术

  行业的主要焦点。而电池技术则是焦点中的焦点,没有好的电池技术,电动交通的成本效益都是难题,目前,原始设备生产商(OEM)正大量投资在急需技术上面。如爱普科斯(EPCOS)就开发了动力传动系统变频器用的高性能PCC块状电力电容器。在电动交通领域方面,爱普科斯还在提高

  器的产能,以满足客户日益增长的需求。爱普科斯认为在未来几年内燃机车仍将继续成为车辆销售的主流,因此将继续加强在压电执行器方面的优势。基于我们先进的工艺技术,并以保持性能不变为前提pg电子网址,我们成功推出的压电执行器,内电极上已从银钯改用铜。

  Linear)产品市场经理Brian Black则强调对于汽车行业来说,从内燃机过渡到诸如电动汽车等替代能源技术代表着一次重大转变。它需要开发高容量、高功率密度、安全与坚固的能量存储和输送系统。在下一代电池技术的开发方面,仍有很长的路要走。与第一代混合动力汽车 (HEV) 中所使用的镍氢 (NiMH) 电池相比,新的电池化学组成通常需要较

  2012年,随着智能手机、平板电脑、Ultrabook的井喷式爆发,有一种半导体器件会受到产业的万众瞩目----这就是Nand Flash,调研机构更预测其火爆程度将超越

  ,很多机构预测OEM/ODM业者在成本压力下会将资源用于NAND Flash而非DRAM,因为NAND Flash能给用户带来明显的体验提升,而NAND Flash在2012年的应用亮点将在eMMC、SSDUSB3.0上集中绽放!而且,在苹果的示范带动下,NAND Flash出货将激增,年复合成长率高达70%!据预测,2015年全球媒体平板用NAND flash出货量将由2011年的16亿GB大增10倍至163亿GB,而占整体NAND flash出货量的比重也将由9%上升至17%。此外,预测每台iP

  新版处理器IvyBridge已确定会在4月底上市,布局USB 3.0产品线的厂商都会获益,也会带动笔记本、U盘类产品的升级。

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  的电阻系数位于10-8至10-4Ωcm区间,绝缘体的电阻系数横跨108至1018Ωcm范围。

  弄潮儿的标配。 推荐阅读: 仙童(Fairchild)让你感慨IC业的历史 集成电路史上最著名的10个人 于是,第一个

  中得到了广泛的应用和发展。目前,TSS已经成为电子领域中的重要组成部分,被广泛应用于电力电子、通讯

  制作的需要。因此,1959年末开发了薄层单晶材料生长技外延生长。那外延技术到底对材料的进步有了什么具体的帮助呢?

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  行业市场规模为303.37亿美元,同比增长27.4%,2022年进一步同比增长12.1%,为339.93亿美元。

  “和“绝缘体”之间的物质,前者像金属一样导电,后者几乎不导电,电流流动的容易程度与物质电阻的大小有关。

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  这三种。 当静电与设备导线的主体接触时,设备由于放电而发生充电,设备接地,放电电流将立即流过电路,导致静电击穿。外部物体

  都可以看作是这四种基本结构的组合,比如BJT由两个背靠背的PN结构成,MOSFET由MOS结构和两对PN结构成。

  。主要用于整流器、逆变器、斩波器、交流调压器等方面,广泛用于工农业生产、国防、交通等各个领域。

  如晶体管、二极管等的电气行为进行数学和物理描述。这一过程对于设计高效、可靠的电子设备至关重要。本文旨在深入探讨

  ,在世界上已经得到了极为广泛的运用,主要是作为开关和放大器来使用。它出现在社会生活中的各个方面,如医疗、教育、能源、环境和航空航天,甚至涉及到了现代化国防武器装备

  参数分析仪电源损坏无法开机,对仪器进行初步检测,确定与客户描述故障一致。本期将为大家分享本维修案例。 下面

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  。自1990年起常用于发光二极管pg电子网址。这种化合物的结构与纤锌矿相似,硬度非常高。氮化镓具有3.4电子伏特的宽能隙,可用

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  的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

  的首选材料。从普通的晶体管到今天高度集成的芯片,硅都起到了不可替代的作用。但为什么在众多元素和化合物中,人们会选择硅作为制造

  之一。能够实现电能转换和电路控制,在电路中主要起着功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆变(直流转交流)和整流(交流转直流)等作用。

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